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碳化硅（SiC）粉体，广泛应用于半导体衬底、电子封装、导热散热、高端结构陶瓷、新能源等领域。高纯度、低氧含量、晶型一致性，是衡量碳化硅粉体品质的核心指标。
2026年10月28-30日，嘉兴鬃晶科技有限公司将携其产品亮相IPIE2026上海国际高端粉体装备与科学仪器展览会，展位号：B1015，欢迎到场洽谈交流。
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专注研究攻克碳化硅粉体高端技术
公司于2023年成立，专注于高性能碳化硅与金刚石材料及装备解决方案。拥有一支经验丰富的技术研发团队和产业化团队，与中国科学院重庆绿色智能技术研究院、重庆邮电大学联合攻关，研发并攻克高纯碳化硅粉体合成技术，产品具有超高纯度(99.99999%及以上)、超低含氧量（＜0.3wt%）、粒径尺寸均一、晶型一致（3C4H含量＞99.5%）等优势，已应用于高端陶瓷、导热填料、固态电池添加剂等高端领域，实现规模化销售。
与中国科学院重庆绿色智能技术研究院共同研发金刚石单晶及复合热沉材料，在金刚石单晶和新型散热材料上取得重大进展，推出多款高端散热材料，成为解决高热流密度散热难题的理想选择，可满足不同领域对散热材料的严苛需求。
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高端制造与前沿科技的理想材料
3C型β相碳化硅粉
β相碳化硅(3C型)为立方晶系低温相碳化硅，是半导体、陶瓷、航空航天、核工业、电池等领域核心配套粉体材料。本产品采用自研高温热固法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低氧含量、烧结活性优异、分散性好等核心特点，可全面适配航空航天、高端陶瓷、新能源电池、半导体、表面工程等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。
4H型a相碳化硅粉
α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅，是第三代半导体核心配套粉体材料，分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备，具备纯度高、粒径可控、晶型纯正、超低含氧量、高温稳定(>2000°C)、导热/绝缘性优等核心特点，可全面适配半导体衬底、陶瓷密封件/轴承、导热基片等多场景量产需求，可提供全系列标准化产品及定制化解决方案。
导电型a相碳化硅长晶用粉
核心优势：
高纯度：产品纯度在7N以上，金属杂质ppm级管控(<0.1ppm)，满足高端场景严苛要求。
晶型纯正：独有工艺可实现4H/6H单晶型占比达到95%以上，无杂相干扰，性能一致性强。
全粒径：从亚微米至毫米级定制化生产，适配全场景应用。
批次稳定：量产级批次稳定，全流程溯源管控，解决下游量产批次波动痛点。
3C型碳化硅长晶用粉
超高纯度（7N及以上），超低浅能级杂质，高电阻率与结构稳定性优异。
嘉兴鬃晶科技以“突破核心材料技术、打造产业链源头”为使命，赋能产业链创新，与合作伙伴共同开启高端粉体材料的黄金时代。
2026年10月28-30日，上海跨国采购会展中心，期待与您相聚，共话粉体产业的未来！
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郝女士 18660997743（微信同号）
媒体合作：
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